Вы здесь
Тема диссертации: Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей
Номер совета:
ФИО защищающегося:
Арустамян Давид Арсенович
Специальность:
01.04.07 – Физика конденсированного состояния
Степень:
Кандидатская
Отрасль науки:
физико-математические науки
Дата защиты:
22 ноября 2017
Ведущая организация
Полное наименование:
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Сокращенное наименование:
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Место нахождения:
г. Санкт-Петербург
Почтовый адрес:
194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26
Телефон:
(812) 297-2245
Адрес официального сайта:
Email:
post@mail.ioffe.ru
Список научных трудов сотрудников ведущей организации по теме диссертации:
Отзыв ведущей организации:
Результаты защиты
Научный руководитель / консультант
ФИО:
Лунин Леонид Сергеевич
Степень:
Доктор физико-математических наук
Звание:
Профессор
Должность:
Профессор
Оппоненты
Номер:
1.
Официальный оппонент
ФИО:
Бавижев Михаил Данильевич
Степень:
Доктор физико-математических наук
Звание:
профессор
Должность:
вице-президент
Место работы:
Акционерное Общество Научно-производственное предприятие “Радий”
Номер:
2.
Официальный оппонент
ФИО:
Вербенко Илья Александрович
Степень:
Доктор физико-математических наук
Должность:
директор
Место работы:
Южный Федеральный Университет, научно-исследовательский институт физики